XDA智能手机网 - 第一智能手机评述媒体
科技您的位置:首页 >科技 >

在工业标准硅衬底上外延生长的微型电泵浦微型激光器

发布时间:2019-01-26 13:09:00 来源:

几十年前,摩尔定律预测密集集成电路中的晶体管数量大约每两年增加一倍。在过去的几十年中,这种预测被证明是正确的,并且寻求更小和更高效的半导体器件已成为该技术突破的推动力。

香港科技大学和加州大学圣塔芭芭拉分校的一组研究人员对硅平台上的光子元件的小型化和大规模集成的需求持续不断增长,以满足数据通信和新兴应用的需求。在最近的一项研究中,成功​​地展示了在工业标准(001)硅衬底上外延生长的记录小型电泵浦微型激光器。对于半径为5μm的微激光器,实现了以近红外(1.3μm)发射的0.6mA的亚毫安阈值。阈值和占位面积比先前报道的在Si上外延生长的激光器小几个数量级。

“我们展示了在工业标准(001)硅上直接生长的最小电流注入QD激光器,具有低功耗和高温稳定性,”工程教授,电子与计算机工程系讲座教授Kei May Lau说。香港科技大学。

“直接在Si上生长的高性能微米级激光器的实现代表了利用直接III-V / Si外延作为晶圆键合技术的替代选择的重要一步,因为片上硅光源具有密集集成和低能量消耗。”

这两个小组一直在合作,并且先前开发了在室温下工作的连续波(CW)光泵浦微激光器,其在硅上外延生长,没有锗缓冲层或衬底误切割。这一次,他们展示了在硅上外延生长的创纪录的小型电泵浦QD激光器。“电子注入微型激光器是一项更具挑战性和艰巨性的任务:首先,电极金属化受到微型腔体的限制,这可能会增加器件电阻和热阻抗;其次,回音壁模式(WGM)对于任何过程不完美,可能会增加光学损失,“Yuting Wan说,他是香港科技大学博士研究生,现在是加州大学圣地亚哥分校光电子研究小组的博士后研究员。

“作为一种有前景的集成平台,硅光子学需要片上激光源,能够显着提高性能,同时以经济高效的方式调整尺寸和功耗,实现批量生产。直接在Si上生长的高性能微米级激光器的实现AIM Photonics的副首席执行官约翰鲍尔斯说,这是利用直接III-V / Si外延作为晶圆键合技术的替代选择的重要一步。

热点推荐
随机文章