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三星凭借突破性的GAA技术为3nm芯片铺平了道路

发布时间:2019-05-16 11:06:50 来源:

“这一突破将使速度性能提高35%,同时将功耗降低50%”

构成我们智能手机和设备大脑的芯片和晶体管每年都在萎缩,而且很快就会进一步缩小它们。目前的旗舰SoC只有7纳米。如果你不理解这个术语的真正意义,那就是70亿分之一米。这就是芯片组整体框架的小巧程度。事实上,明年将会有更小的5nm芯片。但那就是事情变得困难的时候。然而,三星宣布在芯片制造方面取得突破,这将有助于代工厂实现3nm的小型化。这家韩国巨头有一个先机,因为它比英特尔提前两到三年,台积电约有12个月Handel Jones,咨询公司International Business Strategies的首席执行官。

这一突破被称为全能门,或简称GAA,这将有助于三星将芯片缩小到3纳米甚至更高。通过GAA,三星承诺将速度性能提高35%,同时将功耗降低50%。关于三星是如何实现这一目标的,据报道,三星重新设计了控制电流流向大门的大门,并使用了更复杂的3D架构,效率更高,价格更高。这是该行业为创新所做出的牺牲之一。由于构建起来更复杂,GAA 3nm芯片的成本可能比其前代产品高得多,因此可能会减少客户数量。然而,代工业务营销副总裁Ryan Lee表示,随着时间的推移,成本将会下降。

基于3nm GAA工艺的三星CPU预计将于2021年推出,我们还预计2022年将推出高性能GPU的进一步改进。

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