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Galaxy S11可能采用5nm芯片组 而三星则采用3nm工艺

发布时间:2019-05-16 10:36:59 来源:

三星目前处于移动芯片组开发的最前沿,因为预计它将采用优质EUV(极紫外)光刻技术制造的7纳米处理器,用于Exynos和Snapdragon处理器的下一代产品。它的代工厂。

在第二代7nm工艺之后,苹果的A13也将运动,看起来...... 3nm,正如三星在今天的新闻稿中所详述的那样,除了它显然已经掌握的5nm的更加谦逊的步骤。

几年前,三星的Kinam Kim在一次专门的会议上证实“ 直到5nm才有根本的困难 ”,然后事情开始变得冒险。结合模糊不清的3nm Gate-All-Around(GAA)工艺或3GAE,三星显然已经制定了进一步缩小尺寸的可能性,并获得了以下收益:

这令人印象深刻,三星表示“ 基于GAA的工艺节点有望在下一代应用中广泛采用,例如移动,网络,汽车,人工智能(AI)和物联网。”

流程实施的速度超出预期,因为它可以共享三星目前生产其FinFET芯片的相同生产设施,从而缩短开发周转时间。用于3GAE的工艺设计套件(PDK)已于4月份发布给客户,以开始其架构的早期工作,但今年晚些时候首先是6nm芯片,然后是2020年上半年的5nm芯片,正好赶上Galaxy 11。

4nm工艺开发将在今年年底结束,可能会在2020年下半年实施,而革命性的3nm芯片组可能会留作Note 11次,之后将与我们保持良好关系。所有这些ARM比赛结束的地方,在我们的芯片尺寸与我们老化的台式电脑一样强大的小指甲之前,以及更节俭的方式?带来它。

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